Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].

Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.

Preview

PDF Download (215kB) | Preview

Abstract

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates.

Item Type:	Thesis (Masters)
Subjects:	Q Science > QD Chemistry > QD146-197 Inorganic chemistry
Divisions:	Pusat Pengajian Sains Fizik (School of Physics) > Thesis
Depositing User:	ARKM Al Rashid Automasi
Date Deposited:	14 Dec 2008 00:51
Last Modified:	22 Mar 2017 02:23
URI:	http://eprints.usm.my/id/eprint/6572

Actions (login required)

View Item