Lim, Alex Ying Kiat
(2004)
Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.[QC585.75.S55 L732 2004 f rb][Microfiche 7649].
Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.
Abstract
Objektif kajian ini adalah untuk mengkaji keberkesanan mendopkan sebatian karbon keatas SiO2 untuk menghasilkan bahan dielektrik k rendah.
The semiconductor industry is entering a new millennium where scientists and engineers are continuing to search for the ideal dielectric material for future chip fabrication.
Actions (login required)
|
View Item |