Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].

Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.

[img]
Preview
PDF
Download (210Kb) | Preview

    Abstract

    Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates.

    Item Type: Thesis (Masters)
    Subjects: Q Science > QD Chemistry > QD146-197 Inorganic chemistry
    Divisions: Pusat Pengajian Sains Fizik (School of Physics)
    Depositing User: ARKM Al Rashid Automasi
    Date Deposited: 14 Dec 2008 08:51
    Last Modified: 13 Jul 2013 11:28
    URI: http://eprints.usm.my/id/eprint/6572

    Actions (login required)

    View Item
    Share