Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].

Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.

Preview

PDF - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
210Kb

Abstract

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates.

Item Type:	Thesis (Masters)
Subjects:	Q Science > QD Chemistry > QD146-197 Inorganic chemistry
ID Code:	6572
Deposited By:	ARKM Al Rashid Automasi
Deposited On:	14 Dec 2008 08:51
Last Modified:	14 Dec 2008 08:51

Repository Staff Only: item control page